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    比亞迪半導體亮相2021新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展成果展

    9月25日-28日,我國智能網(wǎng)聯(lián)汽車行業(yè)最高規(guī)格的國際交流平臺——2021世界智能網(wǎng)聯(lián)汽車大會,在北京中國國際展覽中心(新館)舉辦。大會同期舉辦新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展成果展,比亞迪半導體攜6款“高精尖”功率器件產(chǎn)品亮相盛會,成為該會的亮點之一。

    本次成果展由工業(yè)和信息化部主辦,中國國際貿(mào)易促進委員會汽車行業(yè)分會承辦,以“禮贊‘新’時代加快推動新能源汽車產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展”為主題,全面展示新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展取得的成就。

    展會期間,比亞迪半導體集中展示了6款功率器件產(chǎn)品:V-215、V-305(SiC模塊)、V-SSDC(SiC模塊)、V-DUAL1、IGBT晶圓、FRD晶圓。產(chǎn)品向大眾全方位展現(xiàn)了公司功率半導體領域的“高精尖”領先技術、智能制造的精湛工藝,紛紛引來賓駐足觀看,并受到業(yè)界同行廣泛關注。

    比亞迪半導體展品

    本次重點展示了兩款碳化硅功率模塊:V-305(SiC模塊)、V-SSDC(SiC模塊)。其中,305封裝 1200V 840A規(guī)格三相全橋碳化硅功率模塊,在新能源汽車高端車型電機驅(qū)動控制器中已實現(xiàn)規(guī)模化應用,助力漢車型百公里加速達到3.9s,降低了能耗,累計裝車量目前居于行業(yè)領先地位,引領了行業(yè)發(fā)展。

    該SiC模塊采用納米銀燒結工藝,AMB活性金屬釬焊。根據(jù)實驗室測試可知,相較先前傳統(tǒng)焊接工藝及DBC覆銅工藝,使用壽命更長,可靠性更高。除此之外,其使用銅夾互連工藝,極大提升芯片過電流能力,模塊輸出功率可達200KW,以致功率密度提高一倍、體積縮小一半。

    比亞迪半導體憑借多年的功率器件設計經(jīng)驗和集團汽車級應用平臺資源,率先進軍SiC功率器件研發(fā)領域。經(jīng)過不懈努力,成為國內(nèi)首批自主研發(fā)及實現(xiàn)SiC器件產(chǎn)業(yè)化的半導體公司。在SiC器件領域,比亞迪半導體已實現(xiàn)SiC模塊在新能源汽車高端車型電機驅(qū)動控制器中的規(guī);瘧,其自主研發(fā)制造的高性能碳化硅功率模塊,是全球首家、國內(nèi)唯一實現(xiàn)在電機驅(qū)動控制器中大批量裝車的SiC三相全橋模塊。

    本次成果展也重點展示了V-DUAL1模塊,其采用自主研發(fā)的IGBT4.0(復合場終止)技術。IGBT4.0具備車規(guī)級可靠性大電流性能,解決了大電流IGBT易失效難題;其電流輸出能力較當前市場主流IGBT高15%,應用于新能源汽車主電機驅(qū)動系統(tǒng),對整車降低能耗起到有力地推動作用。

    V-DUAL1在輸出電流特性、運行高溫損耗、異常耐受性、溫度循環(huán)壽命等關鍵性能與可靠性指標上對比行業(yè)同類產(chǎn)品,整體指標達到行業(yè)先進水平,部分指標達到領先水平。

    比亞迪半導體是一家擁有芯片設計、晶圓制造、模塊封裝與測試全產(chǎn)業(yè)鏈一體化經(jīng)營能力的IGBT芯片量產(chǎn)裝車IDM廠商。2018年12月,公司正式發(fā)布全新車規(guī)級“IGBT 4.0”技術。相比當前市場主流產(chǎn)品,比亞迪的IGBT電流輸出能力高15%、綜合損耗降低約20%、溫度循環(huán)壽命提高約10倍,,樹立了國內(nèi)中高端車規(guī)級IGBT新標桿。搭載比亞迪IGBT4.0后,整車百公里電耗能夠降低0.6kWh,能耗和用車成本大大降低。

    目前比亞迪半導體基于高密度TrenchFS的IGBT5.0技術已實現(xiàn)量產(chǎn),同時正在積極布局新一代IGBT技術,致力于進一步提高IGBT芯片的電流密度,提升功率半導體的可靠性,降低產(chǎn)品成本,提高應用系統(tǒng)的整體功率密度,已批量應用于內(nèi)、外部新能源汽車以及國內(nèi)知名商業(yè)空調(diào)、變頻空調(diào)領域。

    FRD芯片在IGBT模塊中與IGBT芯片并聯(lián)使用,起反向恢復作用,是IGBT模塊中必不可少的功率芯片之一。該款FRD芯片首創(chuàng)了基于異晶面鍵合的壽命控制方法并得到了載流子軸向壽命分布,降低了FRD反向恢復損耗,研發(fā)了具有注入效率自調(diào)節(jié)功能的控制復合發(fā)射極技術,攻克了FRD VF負溫度系數(shù)導致多芯片并聯(lián)均流差的關鍵技術難題,填補了國內(nèi)VF非負溫度系數(shù)FRD技術空白。

    比亞迪半導體人充分利用公司平臺提供的優(yōu)勢資源,致力“把產(chǎn)品做到極致”,無不體現(xiàn)術業(yè)專攻下一絲不茍的工匠精神。

    “好產(chǎn)品經(jīng)得起時間的考驗”,披沙揀金,終見珍品。在當前行業(yè)普遍“缺芯”的趨勢下,比亞迪半導體立足于“高精尖”產(chǎn)品要求,不斷給自身制定高指標,尋求核心技術的突破,持續(xù)推進先進工藝研發(fā);挖掘更優(yōu)質(zhì)的人才,以更先進的材料、更尖端的設備、更前沿的技術,造就卓越不凡的產(chǎn)品,進而加快相關產(chǎn)品的國產(chǎn)化進程,助力整個半導體行業(yè)奔涌向前。(文/張揚)

    (新媒體責編:caizhuo)

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